第214章 接近式曝光

来说是快一些，，但是这样的话相当於直接拓印了。

    ??这就导致了光线容易飞散，很大程度上影响了成品率。

    ??第二种模式就是光线跟着放置眼膜的平台一起运动，这样的话光线集中，镌刻出来的线路图清晰，误差小，自然的成品率就会提高。

    ??“不过对於机械的精密度要求非常高，我们制造出来的DUV光刻机已经可以把误差控制在十纳米之内了，对於制造45纳米的芯片而已来说已经可以了，已经可以满足要求，没有必要使用第二种模式。”

    ??“如果使用EUV光刻机，那麽对於误差的要求会更加严格，必须要保证在两纳米之内。”

    ??除此之外，这里有一点需要说明，两个工作台在运动时候初速度的加速度非常快，甚至可以和发射炮弹出去时候的加速度相媲美。

    ??而且制造芯片的时候，光刻机必须处於恒温状态，对於温度要求非常严格，在工作状态的时候，温度的误差不能超过千分之一。

    ??“我们制造了这一款DUV光刻机，这两个平面是静止的这样制造起来更容易，也同样也是可以满足要求。”

    ??掩模和矽晶圆片的相对位置这里也有三种，第一种是相互接触；第二种是他们两个的位置非常接近，但是并不接触；第三种就是距离相对较远，相当於投影。

    ??也就是接触式曝光。接近式曝光、投影式曝光这三种。

    ??其中效果最好的是投影式曝光，最差的就是接触式曝光。